自社プロセス提供

デバイスリスト(アナログ)

0.13umデザインを使用し、電源1.5V/5V、DMOS~96Vに対応したアナログミックスドシグナル製品を提供します。

デバイスリスト(アナログ)
Process Type CD-0.13G3/G4 BCD-0.13G3 BCD-0.13G4
CMOS Power Supply
(Vdd)
1.5/5.0V 1.5/5.0V 1.5/5.0V
DMOS 18V, 25V, 30V, 40V, 50V 25V, 40V, 50V, 60V,
80V, 96V
25V*, 40V, 50V, 60V,
80V*
Bipolar NPN,PNP NPN,PNP NPN,PNP
Layers 1P3M~5M 1P4M~5M 1P3M~5M
Metal Al
UTM(Cu 3.5μm)
Cu plating(5.5μm~)
Cu
UTM(Cu 3.5μm)
Cu plating(5.5μm~)
Al
UTM(Cu 3.5μm)
NV-Memory e-Fuse e-Fuse e-Fuse
Buried Layer
Isolation
有
N GuardRing
有
Deep Trench
有
Deep Trench
Others MOS-Cap, MIM-Cap*, MOM-Cap, Zener, MR/HR, SHR MOS-Cap, MOM-Cap, Zener, MR/HR, SHR MOS-Cap, MIM-Cap**, MOM-Cap, Zener, MR/HR, SHR

■Standard PDK(Process Design Kit):Design Rule, SPICE Model, Device Parameters, check Command File(DRC,LVS)
■Design Interface:GDS interface
■NV-Memory Flash:Under Development  
*:Under Development
**:Planning

デバイスリスト(ロジック)

0.13umデザインをベースに1.5V/3.3V/5Vのマルチ電源に対応し、CMOSロジック、アナログフロントエンドなど様々なアプリケーションに使用可能です。

デバイスリスト(ロジック)
CMOS 0.13μm
Power Supply Voltage (Vdd) 1.5/3.3 V 1.5/5 V
Embedded Memory SRAM*2 ✔ ✔
OTP Poly Fuse*1, *3 Poly Fuse*1, *3
Flash*3 -- --
Layers 1P4M~1P6M 1P4M~1P6M
Others MOS-Cap, MOM-Cap, MR, HR, Deep N Well option for Isolation
Bipolar Type Diode for Analog Circuit(NPN/PNP*4)

■Standard PDK(Process Dsign Kit):Design Rule, Spice Model, Device Parameters, check Command File(DRC,LVS)
■Design Interface:GDS interface
*1:Engineering Ver.Ready
*2:1.5V Low Leak CMOS is required
*3:Under Development
*4:Base and Collector terminals of both devices must be connected each